パワーMOS FETの静電破壊 - フルバランスアンプ (X_Under bar)

        
2010/12/10

パワーMOS FETの静電破壊

私が今回使用した、東芝のMOSFETは、オーディオ用に開発されたMOS FET(2SK405、2SJ105)です。
 
特徴としては、入力容量が小さいので、ドライバー段無しにつかえます。最近のMOSFETは、伝達アドミタンスは大きいのですが、入力容量が4倍以上有りますので、ドライバー段を外して使うと、高域で歪が増えます。
 
ただ、このMOSFETは、静電気に弱いようです
。特に2SJ105が弱みたいです。
そのため私は、ハンダ付け等でゲートがオープンに成らない様に、クリップで止めてます。調整時にクリップを外します。(忘れると最悪ですが・・・。)
 


パワーMOSFETには、静電気の保護用ダイオードがゲートに入ってますが、2SK405、2SJ105に付いては音質に影響しない様にしてあるのか、ダイオードの利きが悪い様です。 特に冬場
は危険です。


 
いさおさん、参考にして下さい。


コメント

No title

こんばんは。

保護ダイオードのはいっていなかった初期のCMOSなどは、かなり注意して扱っていましたが、最近のものは保護ダイオードが入っていますので、それ程は注意していませんが大丈夫なようですね。

J105は、そんなに弱そうですか?

No title

Chaosさん、こんばんは、

最近のMOSFETは、これほど弱くはないと思います。

アンプの調整や抵抗の定数変更で、ゲートがオープンになると、

危険です。

私は、保存状態の悪さと調整中の部品交換で計7個ほど壊しました。

ここまで、弱いとは思ってませんでした。

No title

なる程 なる程ワニグチグリップではなく ただのグリップだったのですね(笑)でかいワニグチグリップ買ってきたばかりですわご指導ありがとうございます

No title

いさおさん、 こんばんは、

分かり辛い説明で済みませんでした。

ごめんなさい。m(x_x)m

No title

わたしこそ無知で申し訳ございません失礼致しました。

No title

いさおさん、

MOSFETのゲート端子がオープンだと、ゲート端子に触

れた際、人間の体に帯電していた静電気がゲートから

ドレイン又はソース間で放電して壊れるのですが、

MOSFETのゲートに前段のトランジスターやバイアス回

路が接続されていれば、その回路を通じて静電気がア

ースに落ちますのでMOSFETは壊れません。

良く壊すのは、実験中に部品を外した際にゲートが

オープンになり、その時、体や手に帯電していた静

電気が放電して壊すケースです。

なお、静電気ですので、テスター等では確認はでき

ません。

電子製造会社では、静電気対策用のリストバンド(リ

ストストラップ)を付けて作業をしてます。

No title

なる程ありがとうございます。リストバンドまであるのですね窓に一回触れるか、抵抗を両手でつかみ、放電しなくてはならないですね(笑)抵抗では防止にならないかもですね(笑)
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